<
充电器芯片摩登平台店铺 开关电源ic芯片厂家关注摩登6 电源IC方案公司收藏摩登6 欢迎进入电源ic,电源管理芯片,开关电源芯片,充电器ic,适配器芯片ic厂家--摩登6电子官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案
当前位置: 电源ic > 新闻中心 > 技术资讯 > SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高压mos管参数!

SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高压mos管参数!

字号:T|T
文章出处:摩登6电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-09-16 11:00
  MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是中小功率应用领域的主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。摩登6电子低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。
  
  4n65高压mos管参数  
  型号:SVF4N65F/M/MJ/D   
  电性参数:4A  650V  
  反向恢复时间(Trr):450ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=2.3Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L
 
  
  7N65场效应管参数  
  型号:SVF7N65T/F/S  
  电性参数:7A  650V  
  恢复时间(Trr):499ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=1.1Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L
 
  
  场效应管10N65高压mos管参数  
  型号:SVF10N65T/F/K/S    
  电性参数:10A  650V  
  恢复时间(Trr):561ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=0.8Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L
 
  
  高压mos管12n65参数  
  型号:SVF12N65F/K/S     
  电性参数:12A  650V  
  恢复时间(Trr):562ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=0.64Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L
 
  
  4N65/7N65/10N65/12N65/18N65等高压MOS管系列,大幅减少了应用中的导通损耗的,同时助力高功率密度的电源设计,拥有多种封装形式,能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求,更多低压、高压及超结MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向士兰微mos代理摩登6电子申请。>>
上一篇:OB2281芯片替代料CR6889B,货源更稳定! 下一篇:没有了
产品中心 关于摩登6 联系我们