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IR2304替代料ID5S609F1 600V半桥驱动芯片

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文章出处:摩登6电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-05-31 10:52
  ID5S609F1 600V半桥驱动芯片浮动通道可用于驱动最高600V的N沟道MOSFET或IGBT,通断时间180ns/250ns。兼容ir2304驱动芯片,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、任意互补驱动转换器等领域。
 
  
  ir2304驱动芯片替代料ID5S609F1特性  
  ■ 高侧浮动偏移电压600V  
  ■ 输入逻辑兼容3.3V和5V  
  ■ dV/dt抗干扰能力±50V/nsec  
  ■ 自举工作的浮地通道  
  ■ 芯片工作电压范围10V-20V  
  ■ 高低侧均具有欠压保护功能  
  ■ 输出拉灌电流能力400mA/800mA  
  ■ 高低侧通道均延时匹配  
  ■ 死区时间典型值为180ns
 
  
  半桥驱动芯片ir2304替料ID5S609F1只要用一个大功率三极管或MOS直接带动电机即可,当电机需要双向转动时,可以使用由2个功率元件组成的H桥电路,通过改变流入电机的电流方向从而改变电机转向。
 
  
  ir2304驱动芯片替代料ID5S609F1半桥驱动芯片是具有高低侧参考输出通道,耐压高、高速的MOSFET和IGBT驱动IC,逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,逻辑电压可降至3.3 V。由于其易于设计驱动电路、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高、灵活等优点在MOSFET驱动电路中得到广泛应用,更多IR2304替代料ID5S609F1 600V半桥驱动芯片基本功能、外围电路设计、参数选型以及Layout注意事项,请咨询我们。>>
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