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30v mos管PKC26BB替代料SVG032R4NL5

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文章出处:摩登6电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-05-20 09:51
  目前国内主要以低端MOSFET产品为主,在中高端MOSFET器件中,主要依赖进口,国产替代空间广阔,士兰微 MOSFET可分为平面型、沟槽型、屏蔽栅型、超级结型,可实现进口MOS替代,广泛应用于移动电源、快充、无人 机、新能源汽车等大量领域。
  
  30v mos管SVG032R4NL5 提供PDFN56封装,采用士兰的LVMOS工艺技术制造,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,和尼克森PKC26BB属于同一类型MOS,耐压、导通电阻、封装基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB。
  
  PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管特点  
  ■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V  
  ■ 低栅极电荷  
  ■ 低反向传输电容  
  ■ 开关速度快  
  ■ 提升了dv/dt能力  
  ■ 100%雪崩测试  
  ■ 无铅管脚镀层  
  ■ 符合RoHS环保标准
  
  PKC26BB替代料SVG032R4NL5N关键特性参数
参数 参数值 单位
VDS 30 V
VGS 1.0-2.2 V
RDS(ON),max 2.4
ID 100 A
Qg.typ 39 nC
  
  PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) = 2.0mΩtyp) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% 雪崩测试,提升了dv/dt能力,高可靠性,开关速度快,低导通内阻RDS(on)。更多尼克森PKC26BB替代料30v mos管SVG032R4NL5 参数及相关资料请向士兰微mos代理商摩登6电子申请。>>
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